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BJT H桥直流电机速度控制是一种经典的功率电子应用方案,通过双极晶体管构建的H桥电路实现电机双向调速。其核心在于利用BJT的饱和区特性模拟IGBT功能,当集电极-发射极正向电压约1V时,晶体管进入深度导通状态,此时可等效为绝缘栅双极型晶体管的工作模式。
在开环控制策略中,系统通过调节PWM占空比对电机施加斩波电压,无需速度反馈即可实现粗略调速。H桥的四个BJT分为两组交叉导通:当对角线上两个晶体管导通时,电流沿特定方向驱动电机;切换为另一组对角线导通时,电流反向流动从而改变电机转向。这种结构既能提供双向驱动能力,又能通过调整开关时序实现能耗制动。
值得注意的是,由于BJT在饱和区的导通压降特性,设计时需要特别注意功率损耗计算和散热管理。相比MOSFET方案,该拓扑更适合中低频开关场景,其建模方法可通过IGBT特性曲线近似拟合,这为仿真分析提供了便利性。实际应用中需配合反并联二极管处理感性负载的续流问题,确保开关过程中的能量回馈路径安全可靠。