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项目介绍
本系统是一个基于 MATLAB 环境开发的微观组织演变仿真平台,专门用于模拟金属材料在热机械加工过程中的动态再结晶(Dynamic Recrystallization, DRX)现象。程序通过定义离散的元胞网格,耦合了位错密度演化、成核动力学以及晶界迁移力学模型。该工具能够直观地展示金属晶粒在变形过程中的组织破碎、新晶粒成核及长大过程,并同步输出流变应力曲线和动力学统计数据,为研究材料加工工艺与微观组织之间的关系提供数字化手段。
功能特性
系统要求
本程序采用标准的元胞自动机步进逻辑,应变步长作为时间推进的时间基准,内部核心逻辑包含五个阶段:
1. 初始化阶段 程序首先创建 L x L (200x200) 的离散格点空间。通过在空间内随机投放指定数量的种子点,并利用欧几里得距离变换模拟 Voronoi 拓扑结构,为每个元胞分配初始晶粒 ID 和随机取向,完成原始组织的构建。
2. 位错密度演变 (K-M 模型) 在每一个应变步长内,程序对所有元胞执行位错密度更新。遵循 dRho/dEps = k1*sqrt(Rho) - k2*Rho 公式,反映了由于应变增加导致的位错累积(加工硬化)和由于热激发导致的位错湮灭(动态回复)。
3. 晶界识别与周期性边界 程序通过 Moore 邻域(3x3 范围)对每个元胞进行扫描。如果元胞与其相邻元胞的晶粒 ID 不同,则判定该元胞处于晶界位置。代码实现了周期性边界条件(使用取模运算处理边界索引),有效地解决了有限格点带来的边界效应问题。
4. 动态再结晶成核 程序实时监测晶界元胞的位错密度。当某一晶界元胞的位错密度达到临界值 Rho_crit(该值受温度和应变速率控制)时,程序依据预设的概率(5%)判定制动成核。成核后的元胞会被赋予全新的 ID,位错密度重置为初始水平 Rho_0,标志着第一代再结晶晶粒的诞生。
5. 晶界迁移与组织重塑 (再结晶长大) 这是程序的核心驱动逻辑。系统根据相邻元胞间的位错密度差计算驱动力。迁移率基于 Arrhenius 公式计算。对于每一对相邻的不同晶粒元胞,程序计算其迁移概率;当满足概率触发条件时,高位错密度的元胞被低位错密度的再结晶元胞“吞并”,从而实现晶界的扫掠和晶粒的长大。
关键实现细节分析