高斯源二维fdtd-pec

资 源 简 介

高斯源二维fdtd-pec

详 情 说 明

二维FDTD方法中处理高斯源激励与PEC边界问题是计算电磁学中的经典案例。在完美电导体(PEC)边界条件下，电场切向分量必须为零。实现时需要特别注意源激励位置与边界的最小距离应大于脉冲的空间展宽，避免直接照射边界造成非物理反射。

高斯源作为宽频带激励源，其时间波形通常采用一阶导数形式。在离散计算区域中，源函数的时空离散化需要满足Nyquist采样定理。对于PEC边界，在网格边界处直接强制电场分量为零即可实现理想导体效果，而磁场分量则通过中心差分自然满足边界条件。

仿真时建议先测试空腔谐振等简单案例验证PEC边界实现的正确性，再逐步引入复杂激励源。这种组合在微带天线、波导器件等应用中具有重要价值。